EL TRANSISTOR IGBT

DEFINICION

Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT

El transistor bipolar de puerta aislada es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.

SIMBOLO:

CARACTERISTICAS:

El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 KHZ y ha sustituido al bjt en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energía como FUENTE CONMUTADA , control de la tracción en motores . Grandes módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000v.

Se puede concebir el IGBT como un

transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conducción. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutación de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrónica de potencia es intermedio entre tiristores y

MOSFET. Maneja más potencia que los segundos siendo más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.

Circuito equivalente de un IGBT.

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.

ALGUN VIDEO SOBRE EL TEMA: